Memrystor (ang. memristor) – jeden z podstawowych biernych elementów elektronicznych^[1]; trzy pozostałe to opornik (rezystor), kondensator i cewka. Memrystor (ang. memory resistor – opornik z pamięcią) działa jako pojedyncza komórka pamięci, może być użyty do przechowywania jednego bitu informacji, rezystancja memrystora może być sterowana prądowo^[2]. Memrystory mogą być używane do budowy tranzystorów o znacznie mniejszych wymiarach niż na to pozwalały wcześniejsze technologie, a także do konstrukcji pamięci trwałych o znacznie większej gęstości zapisu danych niż tradycyjne dyski twarde, ale o szybkości pracy zbliżonej do pamięci DRAM.

Właściwości fizyczne

Memrystor jest elementem, w którym strumień magnetyczny skojarzony ${\displaystyle \Psi \,}$ jest funkcją przepływającego przezeń ładunku elektrycznego ${\displaystyle q\,}$, tj. w którym ${\displaystyle \Psi =\Psi (q)\,}$. Zależność strumienia od ładunku

${\displaystyle M(q)\equiv {\frac {d\Psi }{dq}}}$

nazwano „memrystancją”^[3], przez analogię m.in. do rezystancji.

Memrystancja jest dopełniającą zależnością między dwiema z czterech podstawowych wartości opisujących obwód elektryczny: natężeniem prądu ${\displaystyle i\,}$, napięciem elektrycznym ${\displaystyle u\,}$, ładunkiem elektrycznym ${\displaystyle q\,}$ i strumieniem magnetycznym skojarzonym ${\displaystyle \Psi \,}$. Pozostałe pięć z sześciu możliwych kombinacji to:

${\displaystyle q(t)=\int _{-\infty }^{t}i(\tau )\,d\tau }$

${\displaystyle \Psi (t)=\int _{-\infty }^{t}u(\tau )\,d\tau }$

oraz parametry pozostałych trzech podstawowych elementów biernych w elektronice:

rezystancją ${\displaystyle R\,}$ rezystora ${\displaystyle \left(R={\frac {du}{di}}\right)}$

indukcyjnością ${\displaystyle L\,}$ cewki ${\displaystyle \left(L={\frac {d\Psi }{di}}\right)}$

pojemnością ${\displaystyle C\,}$ kondensatora ${\displaystyle \left(C={\frac {dq}{du}}\right)}$

Napięcie ${\displaystyle u\,}$ na memrystorze związane jest z przepływającym prądem ${\displaystyle i\,}$ poprzez chwilową wartość jego memrystancji:

${\displaystyle u(t)=M(q(t))\,i(t)}$,

gdzie ${\displaystyle t\,}$ oznacza czas.

Linki zewnętrzne

• "Memrystor" – epokowy wynalazek HP zmieni pamięci RAM?
• Memrystor – komputer wystartuje w ciągu sekundy?
• "HP makes memory from a once-theoretical circuit"(ang.)
• YAN Kun (2011). Nonlinstor-An electronic circuit element based on the form of the nonlinear differential equation (Brief annotation of the connection equation(R)), Xi'an: Xi'an Modern Nonlinear Science Applying Institute.
• "Getting more from Moore's Law"(ang.)